9.4.5 交流調(diào)壓電路
晶閘管交流調(diào)壓是將晶閘管放在變壓器的一次側(cè),二次側(cè)改為整流二極管,那么通過(guò)調(diào)
節(jié)變壓器一次側(cè)的電壓就可以起到調(diào)節(jié)直流輸出的目的。它在低壓大電流電路中應(yīng)用較廣
泛,晶閘管可以選擇較小的電流值而整流管選擇較大值即可,這在成本控制和可靠性方面都
是有利的。三相晶閘管交流調(diào)壓電路主電路如圖 9-11 所示。
晶閘管交流調(diào)壓是目前晶閘管電鍍電源的主要
圖 9—11 三相晶閘管交流調(diào)壓電路
調(diào)壓方式,它與交流調(diào)壓器相比,具有體積小、運(yùn)行效率高的優(yōu)勢(shì)。
9.4.6 IGBT 斬波調(diào)壓電路
通過(guò)功率器件的通斷將直流電源變換為可調(diào)直流電源的過(guò)程稱為斬波,又稱直/直變
換。
圖 9—12 所示為降壓式斬波電路及波形。
該電路通過(guò)控制電路控制功率開關(guān)器件 V(IGBT)的通與斷,在負(fù)載上得到脈沖輸出電
壓。其頻率為.F=1/T,占空比為 ton/(ton+toff)。斬波在電鍍電源領(lǐng)域中的應(yīng)用主要是試
驗(yàn)電源和貴金屬的脈沖電源。
9.4.7 IGBT 逆變電路
將直流電變換為交流電的過(guò)程稱為逆變。圖9—13 所示為典型的單相橋式逆變電路。V1~
V4為功率器件 IGBT,采用脈寬調(diào)制(PWM)控制技術(shù),通過(guò)控制其通斷的占空比,使 V1~V4按
照一定的順序通斷,在負(fù)載兩端便可得到高頻交流電。
應(yīng)用 IGBT 逆變技術(shù)的電鍍電源稱為高頻開關(guān)
圖 9—12 降壓式斬波電路及波形
電源。圖 9—14 所示為高頻開關(guān)電源的原理框圖及輸出波形。直流側(cè)交流電通過(guò)整流獲得的
固定直流,逆變后的交流電經(jīng)再次整流便獲得了直流電 Ud。
圖 9—13 單相橋式逆變電路及波形
圖 9—14 高頻開關(guān)電源原理框圖及輸出波形